| Summary: | Esta memoria afronta el problema de la degradación de los amplificadores operacionales construidos en tecnología bipolar cuando son irradiados con neutrones rápidos. Este tipo de radiación produce daño por desplazamiento en la red cristalina del semiconductor, hecho que conduce a la degradación de los componentes internos. Al estar relacionados con éstos, se prevé una modificación de los parámetros eléctricos externos de los amplificadores operacionales. Este hecho ha sido comprobado de forma experimental en amplificadores operacionales comerciales en una fuente de neutrones especialmente dedicada. Para ello, se diseñó un sistema automático de caracterización, que fue optimizado para realizar un seguimiento exhaustivo de los parámetros durante el proceso de irradiación. Asimismo, se decidió extrapolar los resultados obtenidos en los amplificadores operacionales a aquellos dispositivos en los que se hubiese integrado algún amplificador de este tipo. Estos componentes fueron los amplificadores de instrumentación, integrados generalmente por tres amplificadores operacionales; referencias de tensión, en los que el amplificador desempeña un papel importante para mejorar las características de salida; finalmente, se estudiaron los conversores D/A, en los que existe tanto un amplificador operacional encargado de convertir corriente en tensión como una referencia interna de tensión. En general, los resultados teóricos y experimentales concuerdan perfectamente.
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