Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares
En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica...
| Main Author: | |
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| Corporate Author: | |
| Format: | eBook |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1991.
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| Subjects: | |
| Online Access: | https://elibro.net/ereader/uninicaragua/87594 |
| Summary: | En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilacion de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre sustratos de Si tambien tratados a baja temperatura. |
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| Item Description: | Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales. |
| Physical Description: | 10-250 p. |