Crecimiento y caracterización de GaAs sobre Si por epitaxia de haces moleculares - González Díez, María Yolanda. (Universidad Complutense de Madrid, 1991)
En este trabajo de Tesis se estudian y aportan soluciones a los problemas intrinsicamente ligados al sistema epitaxial GaAs sobre Si. Se ha estudiado el proceso de nucleacion, la distribucion de tensiones que aparece debido a la diferencia de parametros de red y de coeficientes de expansion termica que existe entre estos materiales, el proceso de aniquilacion de dominios de antifase que aparecen por el hecho de crecer un material polar sobre uno no polar y se han realizado crecimientos a baja temperatura sobre sustratos de Si tambien tratados a baja temperatura.