Estudio óptico de la cinética de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada por ablación e irradiación láser
El trabajo presenta un estudio de la cínetica de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada. Se utilizan dos procedimientos experimentales, la deposición de láminas por ablación láser y la irradicación de materiales con láser, ambos en atmósfera reactiva de oxígen...
| Main Author: | |
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| Corporate Author: | |
| Format: | eBook |
| Language: | Spanish |
| Published: |
Madrid :
Universidad Complutense de Madrid,
1993.
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| Subjects: | |
| Online Access: | https://elibro.net/ereader/uninicaragua/93621 |
| Summary: | El trabajo presenta un estudio de la cínetica de obtención de óxidos de semiconductor y semimetal en lámina delgada. Se utilizan dos procedimientos experimentales, la deposición de láminas por ablación láser y la irradicación de materiales con láser, ambos en atmósfera reactiva de oxígeno. El trabajo establece una unión entre la cinética del proceso de obtención de los óxidos y sus propiedades ópticas y de estegniometria. Se han utilizdo medidas óptimas en tiempo real para seguir dinamicamente el proceso de formación y crecimiento del óxido y medidas óptimas y de haces de iones (RBS,NRA) para caractizar sus propiedades. Los resultados muestran los mecanismos responsables de las propiedadesobservadas en los procesos de obtención y en los óxidos: presencia de especies energéticas, relación de flujos de átomos en el substrato, activación en fase líquida y ... |
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| Item Description: | Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales. |
| Physical Description: | ix, 221 p. |