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| LEADER |
02697nam a2200349 a 4500 |
| 001 |
ELB91974 |
| 003 |
FlNmELB |
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m o d | |
| 007 |
cr cn||||||||| |
| 008 |
201209r2003 sp |||||s|||||||||||spa d |
| 020 |
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|z 1413598218
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| 035 |
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|a (MiAaPQ)EBC3161374
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| 035 |
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| 035 |
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| 035 |
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|a (OCoLC)923018764
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| 040 |
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|a FlNmELB
|b spa
|c FlNmELB
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| 050 |
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4 |
|a QC23
|b G633 2003
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| 080 |
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|a 621.38
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| 082 |
0 |
4 |
|a 539.2
|2 22
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| 100 |
1 |
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|a Gómez Cuesta, Ignacio.
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| 245 |
1 |
0 |
|a Transporte electrónico y localización en heteroestructuras de semiconductores
|h [recurso electronico] /
|c Ignacio Gómez Cuesta ; dirigida por, Francisco Domínguez-Adame Acosta.
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| 260 |
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|a Madrid :
|b Universidad Complutense de Madrid,
|c 2003.
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| 300 |
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|a 181 p.
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| 500 |
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|a Tesis de la Universidad Complutense de Madrid, Facultad de Ciencias Físicas, Departamento de Física de Materiales, leída el 28-03-2003.
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| 520 |
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|a propiedades de transporte electrónico en superredes (SRs) de semiconductores con modulación de composición de tipo gaussiano, las también llamadas SRs gaussianas (SRGs). En este tipo de heteroestructuras hemos calculado distintas magnitudes relacionadas con el transporte, comprobando como afecta el desorden a dichas magnitudes, y hemos comparado nuestros resultados de estructura electrónica con los objetivos en experimentos de fotoluminiscencia. En segundo lugar hemos investigado la aparición de estados extendidos en SRs semiconductoras con desorden de tipo intencionado. Hemos aplicado una nueva técnica al estudio de estados extendidos debidos a correlaciones en el desorden, y hemos observado la aparición de estados deslocalizados en las llamadas SRs binarias. En tercer lugar, hemos investigado el efecto de desorden de tipo no intencional sobre el transporte electrónico en heteroestructuras de semidonductores de dos tipos; heteroestructuras de doble barrera, y matrices de puntos cuánticos. Finalmente, en cuarto lugar, hemos estudiado la estructura electrónica, así como las funciones de onda y propiedades de espín de uniones magnéticas, tanto de tipo normal, como de tipo invertido, crecidas sobre semiconductores con intervalo estrecho de energías prohibidas.
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| 533 |
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|a Recurso electrónico. Santa Fe, Arg.: e-libro, 2015. Disponible vía World Wide Web. El acceso puede estar limitado para las bibliotecas afiliadas a e-libro.
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| 650 |
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4 |
|a Física.
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| 650 |
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4 |
|a Physics.
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| 655 |
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4 |
|a Libros electrónicos.
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| 700 |
1 |
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|a Domínguez-Adame Acosta, Francisco,
|e dir.
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| 710 |
2 |
|
|a e-libro, Corp.
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| 856 |
4 |
0 |
|u https://elibro.net/ereader/uninicaragua/91974
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