| Summary: | La utilización de una cinética de crecimiento bidimensiónal en la epitasia por haces moleculares ha permitido la obtención de capas de GaAs impurificada con silicio, alcanzándose niveles de densidad de portadores de hasta 2x10 elevado a 19 cm (elevado a -3). Este límite es debido a la existencia del centro DX, que ancla el nivel de Ferni. Una caracterización óptica y eléctrica de este tipo de capas muestra la existencia de defectos de alta impurificación (vacantes de galio-silicio donador, vacante de arsénico-silicio aceptor). Sin embargo, la densidad de los mismos no supera 2x10 elevado a 18 cm (elevado a -3), es decir, menor de un 10 por ciento de la densidad de electrones. La aplicación de esta cinética a la obtención de capas con fuerte desajuste de red y de condiciones de crecimiento muy diferentes (InAs y AIAS) ha sido estudiada, observándose una aximetria ...
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